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深圳市中圖儀器股份有限公司

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當(dāng)前位置:深圳市中圖儀器股份有限公司>>半導(dǎo)體專業(yè)檢測設(shè)備>>晶圓形貌測量系統(tǒng)>> WD4000晶圓微觀形貌測量系統(tǒng)

晶圓微觀形貌測量系統(tǒng)

參  考  價(jià): 3000000

訂  貨  量: ≥1 臺

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號:WD4000

品       牌:CHOTEST/中圖儀器

廠商性質(zhì):生產(chǎn)商

所  在  地:深圳市

更新時間:2024-08-06 10:04:31瀏覽次數(shù):767次

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中圖儀器WD4000晶圓微觀形貌測量系統(tǒng)集成厚度測量模組和三維形貌、粗糙度測量模組,,使用一臺機(jī)器便可完成厚度,、TTV、LTV,、BOW,、WARP、粗糙度,、及三維形貌的測量,。

中圖儀器WD4000晶圓微觀形貌測量系統(tǒng)自動測量Wafer厚度、表面粗糙度,、三維形貌,、單層膜厚、多層膜厚,。

1,、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV,、LTV,、BOW,、WARP、TIR,、SORI等參數(shù),,同時生成Mapping圖;

2,、采用白光干涉測量技術(shù)對Wafer表面進(jìn)行非接觸式掃描同時建立表面3D層析圖像,,顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖,高效分析表面形貌,、粗糙度及相關(guān)3D參數(shù),;

3、基于白光干涉圖的光譜分析儀,,通過數(shù)值七點(diǎn)相移算法計(jì)算,,達(dá)到亞納米分辨率測量表面的局部高度,實(shí)現(xiàn)膜厚測量功能,;

4,、紅外傳感器發(fā)出的探測光在Wafer不同表面反射并形成干涉,由此計(jì)算出兩表面間的距離(即厚度),,可適用于測量BondingWafer的多層厚度,。該傳感器可用于測量不同材料的厚度,包括碳化硅,、藍(lán)寶石,、氮化鎵、硅等,。

晶圓微觀形貌測量系統(tǒng)

WD4000晶圓微觀形貌測量系統(tǒng)可廣泛應(yīng)用于襯底制造,、晶圓制造、及封裝工藝檢測,、3C電子玻璃屏及其精密配件,、光學(xué)加工、顯示面板,、MEMS器件等超精密加工行業(yè),。可測各類包括從光滑到粗糙,、低反射率到高反射率的物體表面,從納米到微米級別工件的厚度,、粗糙度,、平整度、微觀幾何輪廓,、曲率等,,提供依據(jù)SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大國內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)共計(jì)300余種2D,、3D參數(shù)作為評價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。


產(chǎn)品優(yōu)勢

1,、非接觸厚度,、三維維納形貌一體測量

集成厚度測量模組和三維形貌、粗糙度測量模組,,使用一臺機(jī)器便可完成厚度、TTV,、LTV,、BOW、WARP,、粗糙度,、及三維形貌的測量。

2,、高精度厚度測量技術(shù)

(1)采用高分辨率光譜共焦對射技術(shù)對Wafer進(jìn)行高效掃描,。

(2)搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤,晶圓規(guī)格可支持至12寸,。

(3)采用Mapping跟隨技術(shù),可編程包含多點(diǎn),、線,、面的自動測量,。

3,、高精度三維形貌測量技術(shù)

(1)采用光學(xué)白光干涉技術(shù),、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法,,Z向分辨率高可到0.1nm;

(2)隔振設(shè)計(jì)降低地面振動和空氣聲波振動噪聲,,獲得高測量重復(fù)性,。

(3)機(jī)器視覺技術(shù)檢測圖像Mark點(diǎn),虛擬夾具擺正樣品,,可對多點(diǎn)形貌進(jìn)行自動化連續(xù)測量,。

4、大行程高速龍門結(jié)構(gòu)平臺

(1)大行程龍門結(jié)構(gòu)(400x400x75mm),,移動速度500mm/s,。

(2)高精度花崗巖基座和橫梁,整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,、可靠,。

(3)關(guān)鍵運(yùn)動機(jī)構(gòu)采用高精度直線導(dǎo)軌導(dǎo)引、AC伺服直驅(qū)電機(jī)驅(qū)動,,搭配分辨率0.1μm的光柵系統(tǒng),,保證設(shè)備的高精度、高效率,。

5,、操作簡單、輕松無憂

(1)集成XYZ三個方向位移調(diào)整功能的操縱手柄,,可快速完成載物臺平移,、Z向聚焦等測量前準(zhǔn)工作。

(2)具備雙重防撞設(shè)計(jì),,避免誤操作導(dǎo)致的物鏡與待測物因碰撞而發(fā)生的損壞情況,。

(3)具備電動物鏡切換功能,讓觀察變得快速和簡單,。

晶圓微觀形貌測量系統(tǒng)

測量功能

1,、厚度測量模塊:厚度、TTV(總體厚度變化),、LTV,、BOW、WARP,、TIR,、SORI、平面度,、等,;

2、顯微形貌測量模塊:粗糙度,、平整度,、微觀幾何輪廓、面積,、體積等,。

3、提供調(diào)整位置,、糾正,、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能。其中調(diào)整位置包括圖像校平,、鏡像等功能;糾正包括空間濾波,、修描,、尖峰去噪等功能;濾波包括去除外形,、標(biāo)準(zhǔn)濾波,、過濾頻譜等功能;提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能,。

4,、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析,、結(jié)構(gòu)分析,、頻率分析、功能分析等五大分析功能,。幾何輪廓分析包括臺階高,、距離、角度,、曲率等特征測量和直線度,、圓度形位公差評定等;粗糙度分析包括國際標(biāo)準(zhǔn)ISO4287的線粗糙度,、ISO25178面粗糙度,、ISO12781平整度等全參數(shù);結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷,。


應(yīng)用場景

1,、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量

晶圓微觀形貌測量系統(tǒng)

通過非接觸測量,,將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度,、粗糙度,、總體厚度變化(TTV),有效保護(hù)膜或圖案的晶片的完整性,。


2,、無圖晶圓粗糙度測量

晶圓微觀形貌測量系統(tǒng)

Wafer減薄工序中粗磨和細(xì)磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量,。在生產(chǎn)車間強(qiáng)噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片,,細(xì)磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測量數(shù)據(jù)計(jì)算重復(fù)性為0.046987nm,,測量穩(wěn)定性良好,。


部分技術(shù)規(guī)格

品牌CHOTEST中圖儀器
型號WD4000系列
測量參數(shù)厚度,、TTV(總體厚度變化)、BOW,、WARP,、LTV、粗糙度等
可測材料砷化鎵,、氮化鎵,、磷化鎵、鍺,、磷化銦,、 鈮酸鋰、藍(lán)寶石,、硅,、碳化硅、氮化鎵,、玻璃,、外延材料等
厚度和翹曲度測量系統(tǒng)
可測材料砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍(lán)寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等
測量范圍150μm~2000μm
掃描方式Fullmap面掃、米字,、自由多點(diǎn)
測量參數(shù)厚度,、TTV(總體厚度變 化)、LTV,、BOW,、WARP、平面度,、線粗糙度
三維顯微形貌測量系統(tǒng)
測量原理白光干涉
干涉物鏡10X(2.5X,、5X,、20X,、50X,可選多個)
可測樣品反射率0.05%~100
粗糙度RMS重復(fù)性0.005nm
測量參數(shù)顯微形貌 ,、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數(shù)
膜厚測量系統(tǒng)
測量范圍90um(n= 1.5)
景深1200um
最小可測厚度0.4um
紅外干涉測量系統(tǒng)
光源SLED
測量范圍37-1850um
晶圓尺寸4",、6",、8"、12"
晶圓載臺防靜電鏤空真空吸盤載臺
X/Y/Z工作臺行程400mm/400mm/75mm

請注意:因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,,本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會根據(jù)實(shí)際情況隨時更新或修改,,恕不另行通知,不便之處敬請諒解,。


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